格力取得MOS器件专利，解决JFET区域导通电阻较大的问题_资源案例

格力取得MOS器件专利，解决JFET区域导通电阻较大的问题

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2026-01-30 11:41:09

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国家知识产权局信息显示，珠海格力电子元器件有限公司;珠海格力电器股份有限公司取得一项名为“MOS器件”的专利，授权公告号CN223859530U，申请日期为2024年12月。

专利摘要显示，本申请公开了MOS器件，包括：多个源区结构，源区结构沿第一方向间隔设置在外延层中，第一方向平行于衬底与外延层接触的表面，其中，外延层中位于相邻的任意两个源区结构之间的区域为外延层区域；栅极结构，栅极结构包括第一栅极结构和至少一个第二栅极结构，第一栅极结构包括第一栅极和第一栅氧层，第二栅极结构包括第二栅极和第二栅氧层，第一栅氧层分别位于外延层区域背离衬底的一侧和部分源区结构背离衬底的一侧，第一栅极位于第一栅氧层背离衬底的一侧，第二栅极结构位于外延层区域中，第一栅极与第二栅极接触，第一栅氧层与第二栅氧层接触。以解决相关技术中JFET区域的导通电阻较大的问题。

天眼查资料显示，珠海格力电子元器件有限公司，成立于2022年，位于珠海市，是一家以从事批发业为主的企业。企业注册资本10000万人民币。通过天眼查大数据分析，珠海格力电子元器件有限公司参与招投标项目30次，专利信息223条，此外企业还拥有行政许可107个。

珠海格力电器股份有限公司，成立于1989年，位于珠海市，是一家以从事电气机械和器材制造业为主的企业。企业注册资本601573.0878万人民币。通过天眼查大数据分析，珠海格力电器股份有限公司共对外投资了98家企业，参与招投标项目5000次，财产线索方面有商标信息5000条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可908个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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