中国一汽申请功率芯片制作方法专利，提高混合MOSFET器件的工作性能
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2026-01-30 12:43:51
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国家知识产权局信息显示，中国第一汽车股份有限公司申请一项名为“功率芯片的制作方法和计算机存储介质”的专利，公开号CN121419276A，申请日期为2025年11月。
专利摘要显示，本发明公开了一种功率芯片的制作方法和计算机存储介质，其中，方法包括：S1，硅衬底预处理；S2，在硅衬底上异质外延生长碳化硅外延层；S3，碳化硅外延层和硅晶圆预处理；S4，键合碳化硅外延层和硅晶圆；S5，对键合后的硅晶圆进行降温处理；S6，对硅晶圆进行研磨和抛光，以获得基于硅‑碳化硅‑硅晶圆结构的功率芯片。由此，结合硅材料工艺成熟，成本低的优势与碳化硅材料耐压高，散热好的优势，制作用于制备混合MOSFET器件的功率芯片，从而，降低混合MOSFET器件的制造成本，并提高混合MOSFET器件的工作性能。
天眼查资料显示，中国第一汽车股份有限公司，成立于2011年，位于长春市，是一家以从事汽车制造业为主的企业。企业注册资本7800000万人民币。通过天眼查大数据分析，中国第一汽车股份有限公司共对外投资了32家企业，参与招投标项目5000次，财产线索方面有商标信息264条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可385个。
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