新炬芯半导体取得肖特基二极管成品覆膜装置专利，不会对二极管造成损坏
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2026-01-30 19:41:28
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国家知识产权局信息显示，深圳市新炬芯半导体有限公司取得一项名为“一种肖特基二极管成品覆膜装置”的专利，授权公告号CN223850952U，申请日期为2024年12月。
专利摘要显示，本实用新型公开了一种肖特基二极管成品覆膜装置，具体涉及二极管成品覆膜技术领域，包括底座，底座上设置有多个呈圆周阵列布置的第一连接杆，第一连接板上开设有槽口，槽口内滑动设置有框架，框架内设置有多个呈线性阵列布置的放置板，放置板上开设有多个呈线性阵列布置的放置槽，放置槽内设置有固定件，固定件为弧状。该实用新型提供的肖特基二极管成品覆膜装置，通过底座上的多个第一连接杆将第一连接板固定，通过第一连接板上的槽口使框架在槽口内上下移动，通过框架上的放置板来放置多个二极管，通过放置板上的多个放置槽将二极管进行固定，通过放置槽内的固定件实现了将二极管固定的同时，不会对二极管造成损坏。
天眼查资料显示，深圳市新炬芯半导体有限公司，成立于2017年，位于深圳市，是一家以从事零售业为主的企业。企业注册资本1000万人民币。通过天眼查大数据分析，深圳市新炬芯半导体有限公司参与招投标项目2次，财产线索方面有商标信息2条，此外企业还拥有行政许可6个。
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来源：市场资讯
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