国家知识产权局信息显示,上海华力集成电路制造有限公司申请一项名为“具有不同工作电压的MOS晶体管的集成结构及制造方法”的专利,公开号CN121419471A,申请日期为2024年7月。
专利摘要显示,本发明公开了一种具有不同工作电压的MOS晶体管的集成结构的制造方法,制得的MOS晶体管的集成结构采用混合栅极方案,制得的低压MOS晶体管采用高介电系数金属栅,能减小低压MOS晶体管的栅极漏电,保持速度性能;制得的中压MOS晶体管和高压MOS晶体管采用多晶硅栅极,并且栅氧采用单一氧化物,没有高介电系数层,制得的中压MOS晶体管和高压MOS晶体管不会由于高介电系数层和栅金属层的引入而带来其他的可靠性问题,具有高可靠性。
天眼查资料显示,上海华力集成电路制造有限公司,成立于2016年,位于上海市,是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本2960000万人民币。通过天眼查大数据分析,上海华力集成电路制造有限公司参与招投标项目2094次,专利信息2682条,此外企业还拥有行政许可397个。
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来源:市场资讯