武汉云岭光电申请掩埋异质结生长方法专利，避免有源层被刻蚀的问题
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2026-02-05 16:16:40
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国家知识产权局信息显示，武汉云岭光电股份有限公司申请一项名为“一种掩埋异质结生长方法”的专利，公开号CN121461092A，申请日期为2025年9月。
专利摘要显示，本发明涉及光通信技术领域，提供了一种掩埋异质结生长方法，包括如下步骤：S1，依次生长具有有源层和腐蚀阻挡层的一次外延结构；S2，再于所述一次外延结构上进行二次外延生长，并选取等宽的电流注入区域；S3，在所述电流注入区域内或外向所述一次外延结构的方向进行刻蚀，直至暴露所述腐蚀阻挡层；S4，再进行第三次外延生长，填满被刻蚀掉的区域，以完成掩埋异质结的制作。本发明的一种掩埋异质结生长方法，通过腐蚀阻挡层、电流注入区域的选取以及三次外延生长，其中腐蚀阻挡层可以避免有源层被刻蚀的问题，等宽的电流注入区域能够避免传统掩埋异质结的脊宽均匀性问题。
天眼查资料显示，武汉云岭光电股份有限公司，成立于2018年，位于武汉市，是一家以从事专用设备制造业为主的企业。企业注册资本31824.62万人民币。通过天眼查大数据分析，武汉云岭光电股份有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目156次，财产线索方面有商标信息3条，专利信息83条，此外企业还拥有行政许可12个。
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来源：市场资讯
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