长江存储申请半导体结构及其制作方法、存储器系统专利，实现第一子半导体结构与第二子半导体结构的耦接
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2026-02-06 11:14:58
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国家知识产权局信息显示，长江存储控股股份有限公司申请一项名为“半导体结构及其制作方法、存储器系统”的专利，公开号CN121463461A，申请日期为2024年7月。
专利摘要显示，本公开实施例公开了一种半导体结构及其制作方法、存储器系统，所述半导体结构包括：沿第一方向键合的第一子半导体结构和第二子半导体结构；所述第一子半导体结构包括：半导体层；第一连接结构，沿所述第一方向贯穿所述半导体层；第一介电层，位于所述第一连接结构与所述半导体层之间，所述第一介电层环绕所述第一连接结构沿所述第一方向延伸的侧壁；所述第一连接结构在所述第一方向具有相对设置的第一端和第二端；所述第二子半导体结构与所述第一子半导体结构通过贯穿第二介电层的键合触点以及所述第一连接结构耦接；所述第一连接结构的第一端与所述键合触点耦接。
天眼查资料显示，长江存储控股股份有限公司，成立于2016年，位于武汉市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1782000万人民币。通过天眼查大数据分析，长江存储控股股份有限公司共对外投资了7家企业，参与招投标项目4次，专利信息18条，此外企业还拥有行政许可4个。
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来源：市场资讯
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