云潼科技取得应用于MOSFET雪崩测试的去耦电路专利，提高了雪崩测试精度
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2026-02-07 09:44:29
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国家知识产权局信息显示，重庆云潼科技有限公司取得一项名为“一种应用于MOSFET雪崩测试的去耦电路”的专利，授权公告号CN223883702U，申请日期为2024年12月。
专利摘要显示，本实用新型公开一种应用于MOSFET雪崩测试的去耦电路，涉及雪崩测试技术领域，解决了雪崩测试时测试结果有较大误差的技术问题。该电路包括驱动单元、测试单元，测试单元包括相互串联的MOS管Q1、MOS管Q2电感L1及二极管D1，MOS管Q1连接电源VCC，MOS管Q2为进行雪崩测试的被测MOS管，MOS管Q2电感L1及二极管D1形成回路；驱动单元通过PWM信号控制MOS管Q1、MOS管Q2的栅极电平信号，使MOS管Q1、MOS管Q2同时开通或关断。本实用新型中，MOS管Q1关断后，直接隔离VCC对MOS管Q2测试的影响，很好消除了电源能量的影响，同时去耦电路提高了雪崩测试精度。
天眼查资料显示，重庆云潼科技有限公司，成立于2018年，位于重庆市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本961.6794万人民币。通过天眼查大数据分析，重庆云潼科技有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目6次，财产线索方面有商标信息85条，专利信息220条，此外企业还拥有行政许可11个。
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来源：市场资讯
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