长飞先进半导体取得半导体器件及制备方法专利
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2026-02-07 15:14:44
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国家知识产权局信息显示，长飞先进半导体（武汉）有限公司取得一项名为“半导体器件、功率模块、功率转换电路、车辆及半导体器件的制备方法”的专利，授权公告号CN120035180B，申请日期为2025年3月。
天眼查资料显示，长飞先进半导体（武汉）有限公司，成立于2022年，位于武汉市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本360000万人民币。通过天眼查大数据分析，长飞先进半导体（武汉）有限公司参与招投标项目42次，专利信息111条，此外企业还拥有行政许可62个。
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来源：市场资讯
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