超威半导体申请具有管芯上电源开关的后侧电源专利，增加电荷共享
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2025-05-27 10:09:13
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金融界2025年5月27日消息，国家知识产权局信息显示，超威半导体公司申请一项名为“具有管芯上电源开关的后侧电源”的专利，公开号CN120051863A，申请日期为2023年09月。
专利摘要显示，一种用于跨半导体管芯高效地路由电源信号的装置和方法。在各种具体实施中，集成电路包括横穿硅衬底层到后侧金属层的微硅通孔(TSV)。该集成电路还包括电源开关。该集成电路使用该微TSV和该后侧金属层将电源信号从该电源开关的输出端路由到前侧电力轨。该集成电路还使用前侧金属层将该电源信号从该电源开关的该输出端路由到该前侧电力轨。因此，该前侧金属层和该后侧金属层提供电力连接冗余，这增加了电荷共享、提高了晶片产量、降低了电压降并且减小了管芯上面积。另外，工艺使用前侧电力轨和后侧电力轨两者来路由接地参考电压电平。
来源：金融界
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