国际商业机器公司申请具有横向电极构造的超薄相变存储器器件专利，实现更优的器件性能
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2026-02-26 09:28:15
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国家知识产权局信息显示，国际商业机器公司申请一项名为“具有横向电极构造的超薄相变存储器器件”的专利，公开号CN121569596A，申请日期为2024年7月。
专利摘要显示，一种相变存储器(PCM)器件（10）包括电绝缘材料（11）及嵌入于电绝缘材料（11）中的PCM单元（12‑16）。PCM单元（12‑16）包括相变材料层(或简称为PCM层)，例如包括锗‑锑‑碲合金的层。PCM层（14）具有顶表面、底表面和连接顶表面和底表面的侧表面。PCM单元（12‑16）还包括外电极（12），外电极接触PCM层（14）的侧表面。也就是说，外电极（12）横向覆盖PCM层（14）。PCM单元（12‑16）还包括加热器（15），其横切于PCM层（14）的顶表面和底表面，至少部分地延伸穿过PCM层（14），以接触PCM层（14）。
声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。
来源：市场资讯
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