上海积塔半导体申请外延工艺方法专利，降低MOSFET器件源极及漏极与衬底之间的接触电阻_资源案例

上海积塔半导体申请外延工艺方法专利，降低MOSFET器件源极及漏极与衬底之间的接触电阻

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2025-05-27 12:34:53

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金融界2025年5月27日消息，国家知识产权局信息显示，上海积塔半导体有限公司申请一项名为“外延工艺方法”的专利，公开号CN120048729A，申请日期为2025年02月。

专利摘要显示，本发明提供一种外延工艺方法，通过采用嵌入式外延工艺形成掺杂外延层，在嵌入式外延工艺中，第一元素掺杂气体中的第一元素及第二元素掺杂气体中的第二元素对第三元素沉积气体及第四元素沉积气体进行受主共掺杂形成掺杂外延层，不仅可以在本征外延层中形成空穴，还可以利用在第三元素沉积气体中，第一元素掺杂气体的固溶度高于第二元素掺杂气体，在第四元素沉积气体中，第二元素掺杂气体的固溶度高于第一元素掺杂气体的特点，在本征外延层中形成相互补偿的掺杂，提高空穴的载流子浓度，降低掺杂外延层的接触电阻率，进而降低其与衬底之间的接触电阻，即降低MOSFET器件源极及漏极与衬底之间的接触电阻。

天眼查资料显示，上海积塔半导体有限公司，成立于2017年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1690740.3918万人民币。通过天眼查大数据分析，上海积塔半导体有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目1820次，财产线索方面有商标信息9条，专利信息1111条，此外企业还拥有行政许可192个。

来源：金融界

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