优尼山帝斯电子申请半导体存储装置专利，能够一并执行多数载子的擦除操作
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2026-03-04 10:15:16
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国家知识产权局信息显示，新加坡优尼山帝斯电子私人有限公司申请一项名为“半导体存储装置”的专利，公开号CN121604407A，申请日期为2025年8月。
专利摘要显示，本发明涉及一种半导体存储装置，是在金属半导体绝缘膜电场效应晶体管的电性浮体中储存多数载子以存储数据。通过将与浮体电容耦合的板线按每一字符线分离并配线成平行于字符线，而通过对于板线施加电压，从而沿着字符线一并执行多数载子的擦除操作。半导体存储装置的再新操作通过在将沿着选择字符线的数据读取至感测放大器并锁存之后，将位元线与感测放大器分离，且从选择字符线上的单元的浮体同时擦除多数载子，随后依据感测放大器的状态，对于原本储存较多的多数载子的单元注入多数载子来执行。在写入操作中，除了在从选择单元同时擦除多数载子的同时，再加入从外部对于感测放大器写入数据的操作以外，能够以与再新操作相同的原理来执行。
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