南方芯谷取得内置电阻MOS管芯片专利，解决MOS管存在的DS之间弱导通问题
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2026-03-04 15:13:44
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国家知识产权局信息显示，深圳市南方芯谷微电子有限公司取得一项名为“一种内置电阻的MOS管芯片及电子设备”的专利，授权公告号CN223968136U，申请日期为2025年3月。
专利摘要显示，本实用新型公开了一种内置电阻的MOS管芯片及电子设备，内置电阻的MOS管芯片包括设置有栅极与源极的顶层以及设置有漏极的底层；所述顶层上还设置有第一走线电阻结构与第二走线电阻结构，所述第一走线电阻结构与所述栅极连接，所述第二走线电阻结构的一端与所述栅极连接，所述第二走线电阻结构的另一端与所述源极连接。本实用新型通过在MOS管内部集成第一走线电阻结构与第二走线电阻结构，以解决MOS管存在的DS之间弱导通以及MOS管导通时间太短会容易导致损坏、并且控制端也容易起振荡的问题，相对在MOS管外围连接电阻的方式，本实用新型的成本更低。
天眼查资料显示，深圳市南方芯谷微电子有限公司，成立于2012年，位于深圳市，是一家以从事零售业为主的企业。企业注册资本500万人民币。通过天眼查大数据分析，深圳市南方芯谷微电子有限公司共对外投资了1家企业，财产线索方面有商标信息11条，专利信息2条，此外企业还拥有行政许可7个。
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来源：市场资讯
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