荣芯半导体申请半导体结构的制作方法专利，避免栅电极侧壁的第一侧墙被侧掏
创始人
2026-03-04 20:42:32
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国家知识产权局信息显示，荣芯半导体（淮安）有限公司申请一项名为“半导体结构的制作方法”的专利，公开号CN121604492A，申请日期为2025年12月。
专利摘要显示，本申请提供一种半导体结构的制作方法。该制作方法包括：提供表面形成有栅极氧化层和栅电极的半导体基底；在半导体基底上形成第一侧墙材料层，第一侧墙材料层共形地覆盖半导体基底、栅电极和栅极氧化层；在第一侧墙材料层上形成第二侧墙，第二侧墙位于栅电极的侧壁；刻蚀第一侧墙材料层形成第一侧墙和牺牲部，第二侧墙覆盖第一侧墙，牺牲部暴露在第二侧墙远离栅电极的一侧；以及进行湿法清洗，牺牲部在湿法清洗过程中被消耗。这样利用牺牲部的消耗，可以避免栅电极侧壁的第一侧墙被侧掏，进而避免栅电极下方的栅极氧化层产生侧掏缺陷，且工艺的控制灵活度以及精度高。
天眼查资料显示，荣芯半导体（淮安）有限公司，成立于2021年，位于淮安市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本750000万人民币。通过天眼查大数据分析，荣芯半导体（淮安）有限公司参与招投标项目17次，专利信息53条，此外企业还拥有行政许可40个。
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