长鑫科技申请半导体结构及其制作方法专利，底层导电层通过接触孔电连接第一导电层
创始人
2026-03-07 01:21:56
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国家知识产权局信息显示，长鑫科技集团股份有限公司申请一项名为“半导体结构及其制作方法”的专利，公开号CN121620215A，申请日期为2024年8月。
专利摘要显示，本公开提供一种半导体结构及其制作方法，半导体结构至少包括：底层导电层和格挡部，格挡部所在平面位于底层导电层所在平面上方，格挡部与底层导电层在竖直方向上的投影具有重叠区域；立体结构，立体结构包括第一部和第二部，格挡部的顶面高于第二部的底面且低于或平齐于第一部的底面，第一部至少部分位于重叠区域的正上方；接触孔和第一导电层，第一导电层所在平面高于立体结构的顶面，接触孔与第一导电层直接连接，底层导电层通过接触孔电连接第一导电层，接触孔位于第一部远离第二部的一侧；第一隔离层，第一隔离层用于填充接触孔与立体结构之间的区域以及填充不同接触孔之间的区域。
天眼查资料显示，长鑫科技集团股份有限公司，成立于2016年，位于合肥市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本6019279.7469万人民币。通过天眼查大数据分析，长鑫科技集团股份有限公司共对外投资了18家企业，参与招投标项目1078次，财产线索方面有商标信息236条，专利信息660条，此外企业还拥有行政许可34个。
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来源：市场资讯
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