桑迪士克申请用于非易失性存储器解码器的地址路径布线减少策略专利，减少布局面积
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2026-03-10 21:48:41
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国家知识产权局信息显示，桑迪士克科技股份有限公司申请一项名为“用于非易失性存储器解码器的地址路径布线减少策略”的专利，公开号CN121641095A，申请日期为2025年4月。
专利摘要显示，要对MRAM存储器单元进行编程，电流必须从该存储器单元对应的位线流动到其对应的字线，或者从该字线流动到该位线。为了实现这一点，位线解码器和字线解码器必须能够提供电流(当将线路驱动为正时)和吸收电流(当将该线路拉低为负时)以考虑该存储器单元的双极性质。因此，这些解码器必须是双极性的。对于负选择开关，使用NMOS设备，而对于正选择开关，使用PMOS开关。为了减少布局面积和布线，该负选择开关和该正选择开关被单独地分组，其中该正选择开关的子集位于该负选择开关的子集之间，反之亦然。用于这些解码器开关的连接被布线到中央互连(hook‑up)区域，以便连接到交叉点阵列的控制线。
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来源：市场资讯
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