华力集成电路申请efuse存储器专利，能减少阵列结构中的空闲区域并从而减少阵列的版图面积
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2026-03-11 01:55:27
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国家知识产权局信息显示，上海华力集成电路制造有限公司申请一项名为“efuse存储器”的专利，公开号CN121641133A，申请日期为2024年8月。
专利摘要显示，本发明公开了一种efuse存储器，efuse单元结构包括：由MOS晶体管组成的控制管和熔丝结构。MOS晶体管形成于第一有源区中。熔丝结构形成于和第一有源区平行的第二有源区中。熔丝结构包括第一和第二熔丝连接区和位于第一和第二熔丝连接区之间的有源区熔丝。第一熔丝连接区连接到MOS晶体管的漏极线。第二熔丝连接区连接到位线。有源区熔丝包括导通和熔断两个状态。efuse单元结构处于初始状态时，有源区熔丝处于导通状态，漏极和位线电连接在一起。efuse单元结构处于编程状态时，有源区熔丝处于熔断状态，漏极和位线的电连接断开。本发明能减少单元尺寸，还能减少阵列结构中的空闲区域并从而减少阵列的版图面积，从而能提高版图面积利用率以及提高版图工作效率。
天眼查资料显示，上海华力集成电路制造有限公司，成立于2016年，位于上海市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本2960000万人民币。通过天眼查大数据分析，上海华力集成电路制造有限公司参与招投标项目2082次，专利信息2765条，此外企业还拥有行政许可399个。
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来源：市场资讯
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