中芯集成电路申请键合金属层的制备方法专利，简化了工艺流程
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2026-03-11 19:51:15
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国家知识产权局信息显示，中芯集成电路（宁波）有限公司申请一项名为“一种键合金属层的制备方法”的专利，公开号CN121629321A，申请日期为2025年12月。
专利摘要显示，本发明提供一种键合金属层的制备方法，包括：制备图形化掩膜版，掩膜版的材料包括磁性材料；提供第一晶圆，第一晶圆的表面设有凸起，第一晶圆远离凸起的一侧设置有磁性背板；通过磁性背板与掩膜版之间的磁性吸附，将掩膜版贴合于凸起的部分表面；通过蒸镀工艺将键合材料沉积于凸起未被掩膜版贴合的区域以形成键合金属层。本申请通过设置具有磁性材料的图形化掩膜版，并在第一晶圆远离凸起的一侧设置磁性背板，通过磁性背板与掩膜版之间的磁性吸附，将掩膜版贴合于凸起的部分表面，不需要使用复杂的机械定位夹具或多步校准流程，简化了对掩膜版的固定操作，凸起对贴合后的掩膜版起到支撑作用，实现键合金属层的一步成型，简化了工艺流程。
天眼查资料显示，中芯集成电路（宁波）有限公司，成立于2016年，位于宁波市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本473304.347718万人民币。通过天眼查大数据分析，中芯集成电路（宁波）有限公司参与招投标项目36次，财产线索方面有商标信息69条，专利信息525条，此外企业还拥有行政许可22个。
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来源：市场资讯
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