国家知识产权局信息显示,南亚科技股份有限公司申请一项名为“相变化存储器装置及其制造方法”的专利,公开号CN121645901A,申请日期为2024年10月。
专利摘要显示,相变化存储器装置包括基板、第一电极、第二电极、第一碳层、第二碳层及相变化存储层。第一电极及第二电极设置于基板上且彼此间隔开来。第一碳层及第二碳层设置于基板上且彼此间隔开来。第一碳层及第二碳层分别电性连接第一电极及第二电极,且分别为掺杂纳米碳管层或掺杂石墨烯层。相变化存储层设置于第一碳层及第二碳层之间。由于上述掺杂碳层具有高电导率及高载子迁移率,相变化存储器装置可通过较低的编程电流来操作,并具有快速的信号响应及传输速度。
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来源:市场资讯
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