国家知识产权局信息显示,北京燕东微电子科技有限公司申请一项名为“功率半导体器件”的专利,公开号CN121645953A,申请日期为2025年11月。
专利摘要显示,本申请涉及功率半导体技术领域,具体提供一种功率半导体器件,旨在解决如何有效提高功率半导体器件的动态性能的问题。为此目的,本申请的功率半导体器件包括:具有与阱区相同导电类型的掺杂区,该掺杂区设置在外延层内且至少包围沟槽栅结构一侧的侧壁,且掺杂区的顶部与阱区的底面直接连接,该设置可为器件在开关过程中产生的少数载流子提供一个高效的低阻抽取路径,提高功率半导体器件的动态性能。
天眼查资料显示,北京燕东微电子科技有限公司,成立于2016年,位于北京市,是一家以从事其他制造业为主的企业。企业注册资本1600000万人民币。通过天眼查大数据分析,北京燕东微电子科技有限公司共对外投资了2家企业,参与招投标项目1126次,专利信息179条,此外企业还拥有行政许可113个。
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来源:市场资讯