华为申请光电探测芯片及其制备方法专利，响应度得到提升
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2026-03-14 23:25:47
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国家知识产权局信息显示，华为技术有限公司申请一项名为“一种光电探测芯片及其制备方法、光电探测器及电子设备”的专利，公开号CN121665760A，申请日期为2024年8月。
专利摘要显示，本申请提供一种光电探测芯片及其制备方法、光电探测器及电子设备，光电探测芯片包括衬底、第一、第二掺杂层、本征吸收层、微纳结构和第一、第二电极，沿衬底的厚度方向，第一掺杂层在衬底的表面，本征吸收层位于第一掺杂层和第二掺杂层之间，在垂直于衬底的厚度方向的方向上，多个微纳结构阵列排布，使得至少部分的入射光被限制在本征吸收层内，进而提升了本征吸收层对入射光的吸收效率，以便于产生更多的电子和空穴，使得光电探测芯片的响应度得到提升；同时，微纳结构贯穿第一掺杂层、本征吸收层和第二掺杂层，使得电子和空穴均沿厚度方向移动，缩短了电子和空穴的渡越距离和渡越时间，提升了光电探测芯片的带宽。
天眼查资料显示，华为技术有限公司，成立于1987年，位于深圳市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本4104113.182万人民币。通过天眼查大数据分析，华为技术有限公司共对外投资了51家企业，参与招投标项目42112次，财产线索方面有商标信息5000条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可1712个。
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来源：市场资讯
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