中微半导体申请一种腔室顶盖及CVD反应装置专利，防止腔体顶盖析出合金元素
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2026-03-17 02:52:23
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国家知识产权局信息显示，中微半导体（上海）有限公司申请一项名为“一种腔室顶盖及CVD反应装置”的专利，公开号CN121653826A，申请日期为2024年9月。
专利摘要显示，本发明提供一种腔体顶盖及CVD反应装置，涉及半导体设备技术领域。腔体顶盖设置在CVD反应装置的反应腔上，包括：限制环，其位于反应腔的上方并沿反应腔的轴向延伸；气体供给部，其设置在限制环的顶端，用于向反应腔内注入工艺气体；顶盖侧壁，其围绕在限制环的外周；顶盖盖板，其固定设置在顶盖侧壁的顶端，并围绕在气体供给部的外周，限制环、顶盖侧壁、顶盖盖板共同围成顶盖缓冲腔，通过顶盖缓冲腔向反应腔内注入吹扫气体；阻流板，其设置在顶盖缓冲腔内的底部，并围绕在限制环的外周，阻流板与顶盖侧壁和限制环之间具有间隙。本发明可以防止腔体顶盖析出合金元素，减少对腔体顶盖的腐蚀以及在腔体顶盖附着的反应副产物。
天眼查资料显示，中微半导体（上海）有限公司，成立于2020年，位于上海市，是一家以从事专用设备制造业为主的企业。企业注册资本400000万人民币。通过天眼查大数据分析，中微半导体（上海）有限公司共对外投资了9家企业，参与招投标项目19次，专利信息20条，此外企业还拥有行政许可65个。
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来源：市场资讯
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