先进连接科技申请功率半导体芯片晶圆上金属层制备方法专利，减少工序步骤
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2026-03-18 04:06:46
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国家知识产权局信息显示，深圳市先进连接科技有限公司申请一项名为“功率半导体芯片晶圆上金属层的制备方法与应用”的专利，公开号CN121693211A，申请日期为2025年11月。
专利摘要显示，本发明公开了一种功率半导体芯片晶圆上金属层的制备方法与应用，涉及功率半导体连接技术领域，其中，功率半导体芯片晶圆上金属层的制备方法包括：提供金属烧结材料、金属片和隔离材料，金属片的尺寸与所述功率半导体芯片晶圆上的功率半导体芯片顶部电极的尺寸匹配；将金属烧结材料涂覆在所述功率半导体芯片晶圆上的功率半导体芯片顶部电极上，形成金属层中间体；将金属片贴附在金属层中间体上；将隔离材料垫附在功率半导体芯片晶圆表面，接着进行有压烧结处理；本发明提供的技术方案无需进行烧结材料与铜片的预制以及贴装，在芯片制作的晶圆阶段实现功率半导体芯片的金属层制备，减少工序步骤、提高工艺效率，降低成本。
天眼查资料显示，深圳市先进连接科技有限公司，成立于2015年，位于深圳市，是一家以从事其他制造业为主的企业。企业注册资本1615.3847万人民币。通过天眼查大数据分析，深圳市先进连接科技有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目18次，财产线索方面有商标信息6条，专利信息36条，此外企业还拥有行政许可7个。
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来源：市场资讯
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