来源：新浪证券-红岸工作室

3月21日消息，国家知识产权局信息显示，上海韦尔半导体股份有限公司申请一项名为“一种单向瞬态抑制二极管及其制备工艺”的专利，授权公告号CN114023824B，授权公告日为2026年3月20日。申请公布号为CN114023824A，申请号为CN202111154291.6，申请公布日期为2026年3月20日，申请日期为2021年9月29日，发明人吴中瑞、张栋、胡勇海、郗瑞千、赵盼、陆逸枫，专利代理机构深圳睿臻知识产权代理事务所（普通合伙），专利代理师张海燕，分类号H10D8/25、H10D62/10、H10D8/01。

专利摘要显示，本申请实施例一种单向瞬态抑制二极管及工艺，所述二极管包括，第一导电类型的衬底，第二导电类型的第一注入区和第二注入区；第一注入区设置在衬底正面，第二注入区设置在衬底背面，其中，第二注入区与衬底之间形成的pn结的结深小于第一注入区与衬底之间形成的pn结的结深。在衬底正表面上依次从下到上设置有阻挡层和绝缘层；第一注入区通过第一金属引出第一电极，绝缘层设置在阻挡层和第一金属层之间，背面第二注入区和衬底分别通过第二金属引出第二电极，使得衬底背面第二注入区和衬底短接，第一导电类型和第二导电类型不同，本申请以提高负浪涌的能力。

天眼查数据显示，上海韦尔半导体股份有限公司成立日期2007年5月15日，法定代表人高文宝，所属行业为计算机、通信和其他电子设备制造业，企业规模为大型，注册资本121442.6982万人民币，实缴资本120638.2412万人民币，注册地址为中国（上海）自由贸易试验区龙东大道3000号1幢C楼7层。上海韦尔半导体股份有限公司共对外投资了46家企业，参与招投标项目9次，财产线索方面有商标信息59条，专利信息208条，拥有行政许可15个。

上海韦尔半导体股份有限公司近期专利情况如下：

序号专利名称专利类型法律状态申请号申请日期公开(公告)号公开(公告)日期发明人1一种低电容瞬态抑制保护器件发明专利公布CN202511805721.42025-12-03CN121665687A2026-03-13韩业星、许成宗2一种功率MOSFET宽SOA结构制备工艺及芯片发明专利实质审查的生效、公布CN202511157153.12025-08-19CN121013371A2025-11-25曹培明、董建新3一种具有元胞温度检测功能的功率芯片制备工艺及版图发明专利公布CN202511112814.92025-08-09CN120957433A2025-11-14方镇东、诸舜杰、杨慧玲、薛华瑞4一种瞬态电压抑制保护器件发明专利实质审查的生效、公布CN202510702590.02025-05-28CN120659394A2025-09-16李登辉、许成宗、刘凯哲5一种芯片并联封装方法及并联封装结构发明专利实质审查的生效、公布CN202510642104.02025-05-19CN120613271A2025-09-09方镇东、门淑芳6一种单向低容瞬态电压抑制保护器件发明专利实质审查的生效、实质审查的生效、公布CN202510540948.42025-04-27CN120152387A2025-06-13李登辉、许成宗、刘凯哲7一种功率MOSFET版图及MOSFET发明专利实质审查的生效、公布CN202510420186.42025-04-03CN120264855A2025-07-04薛华瑞、董建新8一种功率MOSFET版图及MOSFET实用新型授权CN202520632927.02025-04-03CN224007006U2026-03-17薛华瑞、董建新9一种中高压屏蔽栅极功率MOSFET版图及MOSFET发明专利实质审查的生效、实质审查的生效、公布CN202510271360.32025-03-08CN120091616A2025-06-03薛华瑞、阮孟波10一种中高压屏蔽栅极功率MOSFET版图及MOSFET实用新型授权CN202520406177.52025-03-08CN224007000U2026-03-17薛华瑞、阮孟波11一种IGBT制备方法及IGBT器件发明专利实质审查的生效、实质审查的生效、公布CN202510261571.92025-03-06CN120111910A2025-06-06张峰、董建新12一种浮空注入型功率MOSFET器件实用新型授权CN202520332356.92025-02-27CN224006999U2026-03-17党晓军、董建新、衷世雄13一种安全工作区MOSFET器件的制备方法及器件发明专利实质审查的生效、公布CN202510205431.X2025-02-24CN120129297A2025-06-10薛华瑞、董建新14一种屏蔽栅沟槽MOSFET版图及器件实用新型授权CN202520197353.92025-02-08CN224006998U2026-03-17薛华瑞、董建新15一种MOSFET版图及MOSFET器件实用新型授权CN202520153818.02025-01-22CN224006997U2026-03-17曹培明、衷世雄、董建新16一种共漏极双MOSFET器件实用新型授权CN202423222814.82024-12-25CN223772423U2026-01-06诸舜杰、董建新17共漏极双MOSFET器件的制备工艺及共漏极双MOSFET器件发明专利授权CN202411921564.92024-12-25CN119815857B2026-01-06诸舜杰、董建新18一种半导体封装结构实用新型授权CN202422815330.82024-11-18CN223513965U2025-11-04吴旸、俞江彬、周万建、姚力19一种芯片封装结构实用新型授权CN202422467982.72024-10-11CN223308991U2025-09-05陈泽洋、俞江彬、周万建20一种IGBT制备方法及IGBT器件发明专利公布CN202411155855.12024-08-22CN118841323A2024-10-25张峰、诸舜杰21输出电路发明专利实质审查的生效、公布CN202411126829.62024-08-16CN121012487A2025-11-25石田学22电压调节器发明专利公布CN202411126827.72024-08-16CN121028940A2025-11-28石田学23半导体集成电路发明专利公布CN202411126626.72024-08-16CN121055790A2025-12-02相浦正巳24一种中高压屏蔽栅极功率MOSFET版图实用新型授权CN202421990059.52024-08-15CN223108363U2025-07-15薛华瑞、董建新25负载驱动电路发明专利公布CN202411091349.02024-08-09CN121012328A2025-11-25木村宏之26桥接电路发明专利公布CN202411091133.42024-08-09CN121012492A2025-11-25相浦正巳27一种带保险丝芯片封装结构实用新型授权CN202421896262.62024-08-06CN223092890U2025-07-11李登辉、陈泽洋、黄智、赵金龙28一种高保持电流瞬态电压抑制器件实用新型授权CN202421650230.82024-07-11CN223110415U2025-07-15李登辉、许成宗29一种SiC MOSFET器件的制备方法及SiC MOSFET器件发明专利实质审查的生效、公布CN202410803538.X2024-06-20CN121218661A2025-12-26付霄荧、衷世雄、钟添宾30一种MOSFET版图及MOSFET器件实用新型授权CN202421403433.72024-06-18CN222776520U2025-04-18党晓军、董建新、衷世雄、陈嘉聪31一种功率MOSFET制备方法及功率MOSFET发明专利实质审查的生效、公布CN202410787966.82024-06-18CN121174540A2025-12-19党晓军、董建新、衷世雄32一种阶梯开启屏蔽栅MOSFET的制备方法及阶梯开启屏蔽栅MOSFET发明专利实质审查的生效、公布CN202410717885.02024-06-04CN118610258A2024-09-06党晓军、董建新、衷世雄33一种功率器件的制备方法及功率器件发明专利实质审查的生效、公布CN202410710543.62024-06-03CN118486596A2024-08-13党晓军、董建新、衷世雄34一种宽安全工作区分裂栅器件的制备方法及宽安全工作区分裂栅器件发明专利实质审查的生效、公布CN202410691737.62024-05-30CN118658784A2024-09-17党晓军、包武35一种双向低容NPN特性瞬态电压抑制器件及封装结构发明专利实质审查的生效、公布CN202410691736.12024-05-30CN118658892A2024-09-17李登辉、许成宗、顾起帆、蔡燕楠36一种屏蔽栅功率器件的制备方法及屏蔽栅功率器件发明专利实质审查的生效、公布CN202410674167.X2024-05-28CN118538610A2024-08-23党晓军、董建新、衷世雄37一种MOS芯片封装结构实用新型授权CN202421196596.22024-05-28CN222581167U2025-03-07陈泽洋、俞江彬、周万建38一种双向低容低钳位电压抑制保护器件实用新型授权CN202420456580.42024-03-08CN222532103U2025-02-25李登辉、许成宗、刘凯哲39张弛振荡器发明专利公布CN202410207729.X2024-02-26CN120357869A2025-07-22木村宏之40电流感测放大器发明专利公布CN202410207728.52024-02-26CN120357854A2025-07-22木村宏之41沟槽栅极型IGBT及其驱动方法发明专利公布CN202410065355.22024-01-17CN120166722A2025-06-17冈田哲也、仲敏行42一种芯片验证装置发明专利实质审查的生效、公布CN202311435838.92023-11-01CN117473916A2024-01-30陈晓鹏43一种SGTMOSFET版图及SGTMOSFET芯片实用新型授权CN202322817654.02023-10-19CN221596454U2024-08-23方镇东、董建新、诸舜杰、薛华瑞44一种SGTMOSFET版图及SGTMOSFET芯片实用新型授权CN202322817646.62023-10-19CN221596453U2024-08-23方镇东、诸舜杰、袁丹45电流感测放大器发明专利实质审查的生效、公布CN202311347242.32023-10-18CN119628574A2025-03-14木村宏之46一种耐压MOSFET版图及MOSFET芯片实用新型授权CN202322776049.32023-10-16CN221352769U2024-07-16布凡、董建新、阮孟波47一种MOSFET集成二极管监控芯片结温结构实用新型授权CN202322752277.72023-10-12CN221150008U2024-06-14董建新、薛华瑞48一种中高压屏蔽栅极功率MOSFET版图实用新型授权CN202322746534.62023-10-12CN221150025U2024-06-14薛华瑞、阮孟波、董建新49一种新型中高压屏蔽栅极功率MOSFET版图实用新型授权CN202322734495.82023-10-11CN221008959U2024-05-24薛华瑞、阮孟波、董建新50一种沟槽IGBT结构实用新型授权CN202322634523.92023-09-26CN221041137U2024-05-28张峰、布凡、董建新

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