三安半导体申请发光二极管专利提升出光效果
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2026-03-27 19:07:15
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国家知识产权局信息显示，泉州三安半导体科技有限公司申请一项名为“一种发光二极管、发光器件及发光装置”的专利，公开号CN121751832A，申请日期为2025年11月。
专利摘要显示，本申请提供了一种发光二极管、发光器件及发光装置。本申请中，通过在N型半导体层一侧形成P型掺杂的第一欧姆接触层，并且第一欧姆接触层上方形成透明导电材料形成的第一电极。该第一电极能够与P型的第一欧姆接触层形成从第一欧姆接触层到第一电极的正向电流导通，另一方面重掺杂的P型的第一欧姆接触层与N型半导体层之间形成强大的内建电场，使P侧的价带顶电子能级高于N侧的导带底电子能级，从而在外加电场的作用下可以产生从N型半导体层到P型的第一欧姆接触层的正向隧穿电流，因此使得发光二极管具有良好的电学性能；该第一电极与第一欧姆接触层之间不再形成金属材料层，因此减少了对光的吸收及遮挡，增加了发光二极管的出光效果。
天眼查资料显示，泉州三安半导体科技有限公司，成立于2017年，位于泉州市，是一家以从事非金属矿物制品业为主的企业。企业注册资本500000万人民币。通过天眼查大数据分析，泉州三安半导体科技有限公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目58次，专利信息640条，此外企业还拥有行政许可406个。
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来源：市场资讯
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