长江存储申请三维半导体装置及其制造方法专利，半导体装置包括第一半导体结构和第二半导体结构
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2026-03-28 15:49:57
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国家知识产权局信息显示，长江存储控股股份有限公司申请一项名为“三维半导体装置及其制造方法”的专利，公开号CN121753499A，申请日期为2025年6月。
专利摘要显示，提供了半导体装置的系统、装置和制造方法。在一个方面，半导体装置包括第一半导体结构和第二半导体结构。第一半导体结构包括存储器阵列。存储器阵列包括沿第一方向堆叠的第一存储器子阵列和第二存储器子阵列。第一存储器子阵列的第一行存储器单元和第二存储器子阵列的第一行存储器单元耦合到相同的位线。相同的位线沿第一方向位于第一存储器子阵列和第二存储器子阵列之间。第二半导体结构包括耦合到存储器阵列的控制电路系统。半导体装置包括第二过孔结构，第二过孔结构通过第一过孔结构和互连结构耦合到第二半导体结构的焊盘引出结构。
天眼查资料显示，长江存储控股股份有限公司，成立于2016年，位于武汉市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1782000万人民币。通过天眼查大数据分析，长江存储控股股份有限公司共对外投资了7家企业，参与招投标项目3次，专利信息35条，此外企业还拥有行政许可4个。
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来源：市场资讯
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