重庆芯联微电子申请MIM电容制作方法专利，抑制底部金属层中金属晶粒的生长
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2026-04-01 19:58:40
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国家知识产权局信息显示，重庆芯联微电子有限公司申请一项名为“MIM电容的制作方法”的专利，公开号CN121772231A，申请日期为2025年11月。
专利摘要显示，本发明提供了一种MIM电容的制作方法，应用于半导体技术领域。在本发明中，通过多次成膜工艺形成底部金属层，且在各成膜工艺的间隙将基底的温度降低至预设值，从而使形成过程中所述基底的平均温度降低，保证低于270℃，从而抑制所述底部金属层中金属晶粒的生长。同时，在形成所述底部金属层的过程中，将所述成膜工艺的沉积速度、沉积功率和沉积真空度中的至少一个降低至预设值，从而进一步抑制所述底部金属层中金属晶粒的生长，其中，降低所述成膜工艺的沉积速度还可以增加所述底部金属层沉积过程的可控性和稳定性；降低所述成膜工艺的沉积真空度可使所述底部金属层中金属晶粒的形状更均匀，沉积得到的所述底部金属层更平整，同时提高可控性。
天眼查资料显示，重庆芯联微电子有限公司，成立于2023年，位于重庆市，是一家以从事其他制造业为主的企业。企业注册资本870000万人民币。通过天眼查大数据分析，重庆芯联微电子有限公司参与招投标项目933次，专利信息282条，此外企业还拥有行政许可12个。
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来源：市场资讯
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