芯联集成申请深沟槽电容器制备方法专利，提升深沟槽电容器耐压水平同时兼顾其电容密度_电子百科

芯联集成申请深沟槽电容器制备方法专利，提升深沟槽电容器耐压水平同时兼顾其电容密度

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2026-06-19 06:44:39

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国家知识产权局信息显示，芯联集成电路制造股份有限公司申请一项名为“深沟槽电容器的制备方法及深沟槽电容器”的专利，公开号CN122180083A，申请日期为2026年3月。

专利摘要显示，本申请涉及一种深沟槽电容器的制备方法及深沟槽电容器，深沟槽电容器的制备方法包括：提供基底，基底包括从基底的顶表面延伸至基底内部的沟槽；形成覆盖沟槽的内壁并延伸至基底顶表面的第一电极层；形成随形覆盖第一电极层的第一介电层，第一介电层未填充满沟槽；采用化学气相沉积工艺，在第一介电层的位于沟槽外的部分的表面形成第二介电层，第二介电层还延伸至第一介电层的位于沟槽侧壁顶部的部分的表面；形成填满沟槽并覆盖第二介电层的第二电极层；对第二电极层的位于沟槽外的部分进行图案化刻蚀，并以第二介电层作为刻蚀停止层。本申请中，通过形成第二介电层能够在提升深沟槽电容器耐压水平的同时兼顾其电容密度。

天眼查资料显示，芯联集成电路制造股份有限公司，成立于2018年，位于绍兴市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本838268.7172万人民币。通过天眼查大数据分析，芯联集成电路制造股份有限公司共对外投资了20家企业，参与招投标项目1739次，财产线索方面有商标信息7条，专利信息833条，此外企业还拥有行政许可43个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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