长江存储申请半导体结构及其制备方法、存储系统专利，防止半导体层被后续的湿法刻蚀步骤破坏_电子百科

长江存储申请半导体结构及其制备方法、存储系统专利，防止半导体层被后续的湿法刻蚀步骤破坏

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2026-06-26 20:32:42

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国家知识产权局信息显示，长江存储科技有限责任公司申请一项名为“半导体结构及其制备方法、存储系统”的专利，公开号CN122294497A，申请日期为2024年12月。

专利摘要显示，本公开提供了一种半导体结构及其制备方法、存储系统，涉及半导体芯片技术领域，旨在改善半导体层在制备过程中容易被破坏的问题。该半导体结构包括：半导体层、堆叠结构和栅极隔离结构。堆叠结构设置在半导体层上，堆叠结构包括沿第一方向交替层叠设置的多个介质层和多个栅极层。栅极隔离结构沿第一方向贯穿堆叠结构和半导体层，栅极隔离结构沿第二方向延伸。在第三方向上，靠近栅极隔离结构的半导体层不超过栅极层。该半导体结构中，在半导体层沿第三方向的一侧，在堆叠结构下方，有足够的空间用于在采用湿法刻蚀工艺去除半导体材料的步骤之前，形成部分栅极隔离结构，以保护半导体层的形貌，防止半导体层被后续的湿法刻蚀步骤破坏。

天眼查资料显示，长江存储科技有限责任公司，成立于2016年，位于武汉市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本12469608.0404万人民币。通过天眼查大数据分析，长江存储科技有限责任公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目1447次，财产线索方面有商标信息1026条，专利信息6107条，此外企业还拥有行政许可1009个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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