上海集成电路研发申请一种存储器及其加热电极结构和制备方法专利，有效减少能耗
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2025-05-30 09:33:44
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金融界2025年5月30日消息，国家知识产权局信息显示，上海集成电路研发中心有限公司申请一项名为“一种存储器及其加热电极结构和制备方法”的专利，公开号CN120076704A，申请日期为2023年11月。
专利摘要显示，本发明公开了一种存储器及其加热电极结构和制备方法，加热电极结构包括本体，所述本体由筒体形成，所述筒体经由一端向另一端移除部分侧壁，使移除部分侧壁后的所述筒体的一端具有小于另一端的端面面积，所述本体用于以移除部分侧壁后的所述筒体面积较小的一端端面与电阻接触。
天眼查资料显示，上海集成电路研发中心有限公司，成立于2002年，位于上海市，是一家以从事其他制造业为主的企业。企业注册资本30060万人民币。通过天眼查大数据分析，上海集成电路研发中心有限公司共对外投资了6家企业，参与招投标项目293次，财产线索方面有商标信息96条，专利信息2079条，此外企业还拥有行政许可87个。
来源：金融界
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