南亚科技申请半导体元件及其制造方法专利，提高整个半导体元件的电性能
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2025-05-30 14:04:43
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金融界2025年5月30日消息，国家知识产权局信息显示，南亚科技股份有限公司申请一项名为“半导体元件及其制造方法”的专利，公开号CN120076316A，申请日期为2024年02月。
专利摘要显示，一种半导体元件包含着陆垫、第一氮化物层、第一氧化物层、第二氮化物层、第二氧化物层、第三氮化物层以及电极层。第一氮化物层设置于着陆垫上方。第一氧化物层设置于第一氮化物层上。第二氮化物层设置于第一氧化物层上。第二氧化物层设置于第二氮化物层上。第三氮化物层设置于第二氧化物层上。沟槽贯穿第三氮化物层、第二氧化物层、第二氮化物层、第一氧化物层以及第一氮化物层。沟槽进一步具有扩展部穿过第一氮化物层。沟槽的扩展部的顶部的宽度大于或等于沟槽的顶部的宽度。电极层设置于沟槽的内侧壁上以及第三氮化物层的顶面上。
来源：金融界
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