达尔科技申请半导体结构及其制造方法专利，本申请涉及半导体结构及其制造方法
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2025-05-30 14:04:43
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金融界2025年5月30日消息，国家知识产权局信息显示，达尔科技股份有限公司申请一项名为“半导体结构及其制造方法”的专利，公开号CN120076355A，申请日期为2023年11月。
专利摘要显示，本申请涉及半导体结构及其制造方法。半导体结构包括：衬底，其具有第一表面以及相对于所述第一表面的第二表面；第一沟槽结构，穿越所述第一表面往所述第二表面延伸，其中所述第一沟槽结构包括第一多晶硅结构以及围绕所述第一多晶硅结构的第一氧化层屏蔽金属层，位于所述衬底的所述第一表面上，且覆盖所述第一沟槽结构；第一导电层设置于所述屏蔽金属层上；以及第二导电层设置于所述衬底的所述第二表面，其中所述第一多晶硅结构的顶面及所述第一氧化层的顶面与所述第一表面共平面。
来源：金融界
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