南亚科技申请半导体装置及其制造方法专利,提升半导体装置的稳定性和效率
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2025-05-30 14:04:44
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金融界2025年5月30日消息,国家知识产权局信息显示,南亚科技股份有限公司申请一项名为“半导体装置及其制造方法”的专利,公开号 CN120076321A,申请日期为 2025 年 02 月。

专利摘要显示,一种半导体装置的制造方法,包括:形成虚设通道结构;形成围绕虚设通道结构的栅极电极;形成围绕栅极电极的字元线;移除虚设通道结构以形成开口;在开口中形成栅极介电层;以及在开口中形成通道结构。

来源:金融界

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