中芯国际申请半导体结构的形成方法专利，提高了半导体结构的性能
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2025-05-30 16:33:44
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金融界2025年5月30日消息，国家知识产权局信息显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司申请一项名为“半导体结构的形成方法”的专利，公开号CN120076397A，申请日期为2023年11月。
专利摘要显示，一种半导体结构的形成方法，方法包括：提供基底，基底包括器件区以及与其相邻的伪器件区，器件区和伪器件区的基底的顶部形成有叠层栅极结构，叠层栅极结构包括第一栅极结构以及位于第一栅极结构上方的第二栅极结构；在器件区和伪器件区的基底上形成覆盖叠层栅极结构侧壁的层间介质层；去除第二栅极结构；去除第二栅极结构之后，去除器件区的第一栅极结构，在器件区形成开口，开口由相邻层间介质层相正对的侧壁以及基底的顶面围成；在开口中形成器件栅极结构，器件栅极结构的顶部与伪器件区中的第一栅极结构的顶部相齐平。
天眼查资料显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，成立于2000年，位于上海市，是一家以从事专用设备制造业为主的企业。企业注册资本244000万美元。通过天眼查大数据分析，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目127次，财产线索方面有商标信息149条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可443个。
来源：金融界
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