长鑫科技申请半导体结构及其制备方法专利，改善各层导电线之间的RC延迟
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2025-05-31 17:04:45
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金融界2025年5月31日消息，国家知识产权局信息显示，长鑫科技集团股份有限公司申请一项名为“半导体结构及其制备方法”的专利，公开号CN120076303A，申请日期为2023年11月。
专利摘要显示，本公开涉及一种半导体结构及其制备方法。半导体结构包括：基底；图形化堆叠结构，位于基底上，包括交替堆叠设置的第一介质层与第一导电层，第一导电层包括导线连接部以及第一导电线，第一导电线在第一方向上连接至导线连接部；台阶结构，位于基底上，包括堆叠设置的多个台阶层组，多个台阶层组构成沿第二方向分布的多阶台阶，且台阶层组包括第二介质层、第二导电层以及第三介质层，第二导电层在第一方向上连接导线连接部，且同一台阶层组内，第三介质层与第二导电层沿第二方向排列且二者在基底上的正投影与第二介质层在基底上的正投影重叠，多个台阶层组的多个第二导电层在基底上的正投影面积相同。
天眼查资料显示，长鑫科技集团股份有限公司，成立于2016年，位于合肥市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本5777094.224万人民币。通过天眼查大数据分析，长鑫科技集团股份有限公司共对外投资了18家企业，参与招投标项目1079次，财产线索方面有商标信息229条，专利信息374条，此外企业还拥有行政许可33个。
来源：金融界
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