贵州芯际探索科技申请用于SiC半导体器件栅极漏电检测装置专利，利用输送组件完成对SiC半导体方向的校正
创始人
2025-06-02 14:33:28
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金融界2025年6月2日消息，国家知识产权局信息显示，贵州芯际探索科技有限公司申请一项名为“一种用于SiC半导体器件的栅极漏电检测装置”的专利，公开号CN120064916A，申请日期为2025年02月。

专利摘要显示，本发明涉及半导体器件技术领域，具体地说，涉及一种用于SiC半导体器件的栅极漏电检测装置，其包括检测室和输送组件，其特征在于：所述检测室的内侧设置有支撑架，所述支撑架内侧设置有用于检测的滑动套，所述检测室的内侧设置有用于输送SiC半导体的一号输送台和二号输送台，所述检测室内设置有用于校正SiC半导体方向的输送组件，所述输送组件内设置有用于输送的输送盘，所述输送组件的两侧设置有用于检测的连杆组件，本发明通过所述输送盘的输送，利用所述输送组件完成对SiC半导体方向的校正，同时利用所述连杆组件和滑动套完成对SiC半导体的检测。

来源：金融界

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