长鑫存储取得图形化掩膜层及其形成方法、存储器及其形成方法专利
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2025-06-03 13:03:38
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金融界2025年6月3日消息，国家知识产权局信息显示，长鑫存储技术有限公司取得一项名为“图形化掩膜层及其形成方法、存储器及其形成方法”的专利，授权公告号CN112071744B，申请日期为2019年06月。

来源：金融界

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