力晶积成申请栅极结构及浮栅存储器专利,公开一种栅极结构及浮栅存储器
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2025-06-04 10:06:27
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金融界2025年6月4日消息,国家知识产权局信息显示,力晶积成电子制造股份有限公司申请一项名为“栅极结构及浮栅存储器”的专利,公开号CN120091619A,申请日期为2023年12月。

专利摘要显示,本发明公开一种栅极结构及浮栅存储器,其中该栅极结构包括至少一浮栅、控制栅以及介电层。浮栅具有第一区域及第二区域。介电层位于浮栅及控制栅之间。第一区域位于第二区域与介电层之间,且第一区域的能带间隙小于第二区域的能带间隙。

来源:金融界

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