萨瑞半导体取得一种超结MOS器件及其制备方法专利
创始人
2025-06-06 16:05:18
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金融界2025年6月6日消息，国家知识产权局信息显示，江西萨瑞半导体技术有限公司取得一项名为“一种超结MOS器件及其制备方法”的专利，授权公告号CN119815888B，申请日期为2025年03月。

天眼查资料显示，江西萨瑞半导体技术有限公司，成立于2020年，位于南昌市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本5000万人民币。通过天眼查大数据分析，江西萨瑞半导体技术有限公司参与招投标项目9次，专利信息17条，此外企业还拥有行政许可5个。

来源：金融界

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