萨克瑟斯和得来化学申请半导体结晶晶圆制造相关专利，可简易且确实地制造高质量的半导体结晶晶圆
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2025-06-07 10:07:13
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金融界2025年6月7日消息，国家知识产权局信息显示，萨克瑟斯有限公司;得来化学有限公司申请一项名为“半导体结晶晶圆的制造装置及制造方法”的专利，公开号CN120113035A，申请日期为2023年04月。
专利摘要显示，本发明的目的在于提供可简易且确实地制造高质量的半导体结晶晶圆的半导体结晶晶圆的制造装置及制造方法。半导体结晶晶圆的SiC晶圆的制造方法具备：沟加工步骤(STEP100/图1)、研磨步骤(STEP110/图1)、切断步骤(STEP120/图1)、第一面加工步骤(STEP130/图1)、以及第二面加工步骤(STEP140/图1)。切断步骤中，在使配置于多条凹沟11的多条线42旋绕同时前进从而将SiC晶锭10切断成片状之前，以设于隔着多条线42而与支持SiC晶锭10的晶锭支持装置43相向的位置的摄像装置44对配置于多条凹沟11的多条线42进行摄像，从通过摄像装置44所得的摄像图像来检测多条线42相对于多条凹沟11的偏差角，并且将偏差角调整为零。
来源：金融界
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