长鑫科技申请半导体结构及其形成方法专利，获得具有更高良率的半导体结构
创始人
2025-06-07 17:05:47
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金融界2025年6月7日消息，国家知识产权局信息显示，长鑫科技集团股份有限公司申请一项名为“半导体结构及其形成方法”的专利，公开号CN120111883A，申请日期为2025年03月。
专利摘要显示，本公开实施例提供了一种半导体结构及其制造方法，半导体结构包括：衬底，该衬底具有器件区、第一隔离区以及第二隔离区，第二隔离区设置在器件区与第一隔离区之间；第二隔离区还设置有第一半导体材料区，第一半导体材料区邻近第一隔离区设置。
天眼查资料显示，长鑫科技集团股份有限公司，成立于2016年，位于合肥市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本5777094.224万人民币。通过天眼查大数据分析，长鑫科技集团股份有限公司共对外投资了17家企业，参与招投标项目1079次，财产线索方面有商标信息229条，专利信息379条，此外企业还拥有行政许可33个。
来源：金融界
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