安徽格恩半导体申请化合物半导体激光器外延结构专利，提升激光器的抗ESD能力
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2025-06-07 17:06:01
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金融界2025年6月7日消息，国家知识产权局信息显示，安徽格恩半导体有限公司申请一项名为“一种化合物半导体激光器的外延结构”的专利，公开号CN120109641A，申请日期为2025年03月。
专利摘要显示，本发明公开了一种化合物半导体激光器的外延结构，从下至上依次包括衬底、下限制层、下波导层、有源层、上波导层、上限制层，所述上限制层上方具有电子声子耦合层，所述电子声子耦合层包括第一电子声子耦合层、第二电子声子耦合层和第三电子声子耦合层。
天眼查资料显示，安徽格恩半导体有限公司，成立于2021年，位于六安市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本8505.7882万人民币。通过天眼查大数据分析，安徽格恩半导体有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目4次，财产线索方面有商标信息2条，专利信息483条，此外企业还拥有行政许可12个。
来源：金融界
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