芯恩集成电路申请可变MIM电容及其制备方法专利，有效降低了MIM电容对芯片面积的占用率
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2025-06-09 16:33:58
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金融界2025年6月9日消息，国家知识产权局信息显示，芯恩（青岛）集成电路有限公司申请一项名为“可变MIM电容及其制备方法”的专利，公开号CN120111896A，申请日期为2025年03月。
专利摘要显示，本发明提供一种可变MIM电容及其制备方法。其中，所述可变MIM电容的制备方法利用不同层光刻胶层的光敏感度不同的特性，在同一光罩下形成了具有阶梯式形貌的光刻胶结构。并据此作为刻蚀所述电容基板的掩模阻挡，进而获取具有阶梯式形貌的电容结构。且基于阶梯式电容结构，通过电容串联原理，可获取多种不同的电容值，则使用一个所述阶梯式电容结构就可以满足芯片中不同电容值的需求，无需使用较多的单介质电容，从而有效降低了MIM电容对芯片面积的占用率，符合器件的小型化发展趋势。
天眼查资料显示，芯恩（青岛）集成电路有限公司，成立于2018年，位于青岛市，是一家以从事其他制造业为主的企业。企业注册资本1006720.789212万人民币。通过天眼查大数据分析，芯恩（青岛）集成电路有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目170次，财产线索方面有商标信息15条，专利信息692条，此外企业还拥有行政许可55个。
来源：金融界
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