京瓷AVX申请金属氧化物半导体电容器专利，可包括彼此串联形成的电阻器和电容器
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2025-06-09 17:03:47
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金融界2025年6月9日消息，国家知识产权局信息显示，京瓷AVX元器件公司申请一项名为“金属氧化物半导体电容器”的专利，公开号CN120113351A，申请日期为2023年10月。
专利摘要显示，一种金属氧化物半导体(MOS)电容器可以包括：衬底，该衬底包括半导体材料；氧化物层，该氧化物层形成在衬底的第一表面的上方；电阻层，该电阻层形成在氧化物层的至少一部分的上方；以及导电层，该导电层形成在电阻层的至少一部分上。因此，MOS电容器可以包括彼此串联形成的电阻器和电容器。
来源：金融界
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