南亚科技申请形成半导体结构的方法专利，留下的第二间隔层的厚度易于控制
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2025-06-10 22:35:15
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金融界2025年6月10日消息，国家知识产权局信息显示，南亚科技股份有限公司申请一项名为“形成半导体结构的方法”的专利，公开号CN120129264A，申请日期为2024年03月。
专利摘要显示，一种形成半导体结构的方法包括依序形成半导体层与金属层于在半导体基板上的第一介电层上：形成第二介电层于金属层的一部分上；形成硼磷硅玻璃层于第二介电层上；蚀刻金属层与半导体层；形成第一间隔层于半导体层的侧壁、金属层的侧壁、第二介电层的侧壁及硼磷硅玻璃层的顶面上；蚀刻第一间隔层以露出硼磷硅玻璃层；移除硼磷硅玻璃层以露出第二介电层的顶面；形成第二间隔层于第一间隔层的侧壁与第二介电层的顶面上；以及蚀刻第二间隔层以露出第二介电层的顶面。据此，留下的第二间隔层的厚度是易于控制的，进而对用于源极/漏极区的植入定义出稳定的位置，而有优良的电性。
来源：金融界
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