成都紫光半导体申请半导体器件及其制备方法专利，提高半导体器件的性能
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2025-06-10 22:35:14
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金融界2025年6月10日消息，国家知识产权局信息显示，成都紫光半导体科技有限公司申请一项名为“半导体器件及其制备方法”的专利，公开号CN120129291A，申请日期为2023年12月。
专利摘要显示，本公开涉及一种半导体器件及其制备方法，该半导体器件包括：衬底；所述衬底的表面形成有外延衬底；以及栅极结构，设于所述外延衬底和所述衬底的表面，其中，所述栅极结构位于所述外延衬底的表面和侧壁。相比于相关技术，该半导体器件的结构中，电子通道的流通面积更大，能够供更多的电子流通，使得电流增大，提高半导体器件的性能。
天眼查资料显示，成都紫光半导体科技有限公司，成立于2022年，位于成都市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本25000万人民币。通过天眼查大数据分析，成都紫光半导体科技有限公司专利信息41条。
来源：金融界
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