苏州晶湛半导体申请一种半导体结构及其制作方法专利，降低P型活化区附近漏电流改善器件可靠性
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2025-06-13 13:15:19
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金融界2025年6月13日消息，国家知识产权局信息显示，苏州晶湛半导体有限公司申请一项名为“一种半导体结构及其制作方法”的专利，公开号CN120152326A，申请日期为2023年12月。
专利摘要显示，本申请实施例提供的一种半导体结构及其制作方法，半导体结构包括依次层叠设置的衬底、沟道层、势垒层、第一钝化层和第二钝化层，贯穿第一钝化层和第二钝化层设置通孔，位于第一钝化层的通孔的横截面积大于位于第二钝化层的通孔的横截面积，半导体层填充通孔，其中，半导体层包括P型活化区和第一高阻区，P型活化区贯穿所述第一钝化层和所述第二钝化层，P型活化区用于耗尽下方沟道的2DEG，实现增强型器件；第一高阻区位于P型活化区与第一钝化层之间、且被第二钝化层在衬底的投影覆盖，第一高阻区位于P型活化区与势垒层形成的夹角处，用于降低P型活化区附近的漏电流，改善器件的可靠性。
天眼查资料显示，苏州晶湛半导体有限公司，成立于2012年，位于苏州市，是一家以从事化学原料和化学制品制造业为主的企业。企业注册资本8212.5556万人民币。通过天眼查大数据分析，苏州晶湛半导体有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目38次，财产线索方面有商标信息73条，专利信息296条，此外企业还拥有行政许可24个。
来源：金融界
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