英飞凌申请半导体装置和加工半导体装置的方法专利，公开场电介质厚度变化结构
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2025-06-14 12:38:15
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金融界2025年6月14日消息，国家知识产权局信息显示，英飞凌科技奥地利有限公司申请一项名为“半导体装置和加工半导体装置的方法”的专利，公开号CN120152318A，申请日期为2024年12月。
专利摘要显示，本公开涉及半导体装置和加工半导体装置的方法。半导体装置包括：晶体管装置，包括形成在半导体衬底的第一主表面中的一个或多个沟槽。每个沟槽包括基底和从基底延伸到第一主表面的侧壁，侧壁包括上段区、下段区和两者之间的中间段区。场板位于沟槽中并且场电介质位于沟槽的基底和侧壁上。在侧壁的上段区中场电介质具有第一厚度，并且在侧壁的下段区中场电介质具有大于第一厚度的第二厚度。在侧壁的中间区中，场电介质的厚度从在上段区和中间段区之间的第一边界的第一厚度变化为在下段区和中间段区之间的第二边界的第二厚度。场电介质的表面在上段区和中间段区之间的第一边界具有凹入形式，并且在下段区和中间段区之间的第二边界具有凸出形式。
来源：金融界
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