上海积塔半导体申请Fin FET结构及其制备方法专利，提升器件的性能
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2025-06-14 12:38:17
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金融界2025年6月14日消息，国家知识产权局信息显示，上海积塔半导体有限公司申请一项名为“Fin FET结构及其制备方法”的专利，公开号CN120152321A，申请日期为2025年03月。
专利摘要显示，本发明提供一种Fin FET结构及其制备方法，通过先采用外延工艺于衬底上形成整面的有源层，相较于现有技术中在沟槽内外延形成有源层，整面的有源层的外延质量较高，外延形貌也不会受到沟槽的影响，从而使有源层具有较高的双轴内应力，然后采用光刻刻蚀工艺去除预设沟道区域以外的有源层及其下方预设深度的衬底，保留沟道区域内的有源层及其下方的衬底，使得垂直于沟道方向的有源层内应力释放，保留单轴的平行于沟道方向的内应力，从而提升沟道区域有源层的载流子迁移率，进而提升器件的性能。
天眼查资料显示，上海积塔半导体有限公司，成立于2017年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1690740.3918万人民币。通过天眼查大数据分析，上海积塔半导体有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目1831次，财产线索方面有商标信息9条，专利信息1164条，此外企业还拥有行政许可192个。
来源：金融界
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