华虹半导体申请闪存器件制造方法专利，避免前层带来的刻蚀不均匀性的影响
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2025-06-14 17:13:02
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金融界2025年6月14日消息，国家知识产权局信息显示，华虹半导体（无锡）有限公司申请一项名为“闪存器件的制造方法”的专利，公开号CN120152287A，申请日期为2025年03月。
专利摘要显示，本发明提供一种闪存器件的制造方法，提供衬底，衬底包含存储区、载带区和外围逻辑区，在存储区和外围逻辑区上形成叠层结构，叠层结构由自下而上依次堆叠的耦合层、浮栅多晶硅层、极间介质层、控制栅多晶硅层组成；在控制栅多晶硅层上形成第一ONO层，第一ONO层由自下而上依次堆叠的第一氧化层、第一氮化层、第二氧化层组成；在存储区上的第一ONO层及其下方的叠层结构上形成字线沟槽，在字线沟槽中形成隧穿氧化层，之后形成填充字线沟槽且覆盖第一ONO层的字线多晶硅层；研磨字线多晶硅层及其下方的第二氧化层至第一氮化层上或预留部分厚度的第一氮化层；去除第一氮化层。
天眼查资料显示，华虹半导体（无锡）有限公司，成立于2017年，位于无锡市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本253685.180069万美元。通过天眼查大数据分析，华虹半导体（无锡）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目2921次，专利信息1682条，此外企业还拥有行政许可117个。
来源：金融界
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